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IndiumPk?

AMQ自豪成為業(yè)內(nèi)首家將銦應(yīng)用于芯片封裝的專業(yè)OSAT服務(wù)商，率先開啟電子器件可靠性與性能新紀(jì)元。

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大芯片與多芯片封裝專長(zhǎng)

AMQ是中國(guó)大規(guī)模及多芯片封裝創(chuàng)新領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，是國(guó)內(nèi)首家成功實(shí)現(xiàn)最大尺寸芯片封裝、并率先在國(guó)內(nèi)完成“首個(gè)四芯集成封裝”的OSAT提供商。這些成就充分展現(xiàn)了AMQ在該領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

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3D SiP

AMQ是中國(guó)大規(guī)模及多芯片封裝創(chuàng)新領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，是國(guó)內(nèi)首家成功實(shí)現(xiàn)最大尺寸芯片封裝、并率先在國(guó)內(nèi)完成“首個(gè)四芯集成封裝”的OSAT提供商。這些成就充分展現(xiàn)了AMQ在該領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

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Whitepapers

《Investigation on Thermal-Mechanical Reliability and Enhanced Fatigue Life of Indium Thermal Interface Materials for Large-Size Flip Chip Packaging》

隨著大尺寸芯片熱管理需求的增長(zhǎng)，銦因其固有的高導(dǎo)熱性和良好的延展性，被認(rèn)為是一種理想的熱界面材料（TIM）。對(duì)于大尺寸倒裝芯片封裝，如何提高可靠性，尤其是在溫度循環(huán)條件下，仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。本研究以大尺寸倒裝芯片封裝為研究對(duì)象，采用有限元模擬與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法，系統(tǒng)分析了溫度循環(huán)下銦的蠕變行為和形態(tài)演變。在此分析的基礎(chǔ)上，使用基于應(yīng)變的 Coffin–Manson模型預(yù)測(cè)了銦的疲勞壽命。為了提高銦層在溫度循環(huán)下的可靠性，采用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOEs）模擬方案分析了不同結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)疲勞壽命的影響。結(jié)果表明，靠近芯片邊緣位置的累積塑性應(yīng)變最大，這與實(shí)際測(cè)量中觀察到的裂紋位置一致。Coffin-Manson模型預(yù)測(cè)的銦層疲勞壽命與測(cè)量結(jié)果基本一致。信噪比（SNR）分析表明，銦層厚度對(duì)熱疲勞壽命的影響最大，而膠粘劑厚度對(duì)熱疲勞壽命的影響最小。與原始模型相比，優(yōu)化后的封裝結(jié)構(gòu)疲勞壽命提高了135%。

01-30

2026

《Investigation on warpage characteristics for ultra- large MCM FCBGA package based on material-structure co-design and intelligent optimization》

人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）對(duì)計(jì)算能力需求的增加，推動(dòng)了多芯片集成和大規(guī)模封裝方法的顯著進(jìn)步。這使得多芯片模塊（MCM）封裝成為一種突出的技術(shù)手段。然而，硅芯片與有機(jī)基板之間的熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配會(huì)導(dǎo)致翹曲加劇，進(jìn)而引發(fā)諸如凸點(diǎn)橋接、不潤(rùn)濕和焊球開裂等工藝和可靠性問題。因此，翹曲控制已成為此類產(chǎn)品的關(guān)鍵問題。本研究提出了一種結(jié)合材料 -結(jié)構(gòu)協(xié)同設(shè)計(jì)和混合智能優(yōu)化的翹曲控制方法。通過陰影云紋實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的4芯片102 mm ×102 mm倒裝芯片球柵陣列（FCBGA）封裝仿真模型，預(yù)測(cè)誤差 ≤7.4%。翹曲呈現(xiàn)出受芯片布局影響的非均勻波浪圖案，關(guān)鍵影響因素包括芯片間距、基板熱膨脹系數(shù)、ring環(huán)熱膨脹系數(shù)、環(huán)腳寬度和厚度。定制的響應(yīng)面法（RSM）能夠準(zhǔn)確模擬非線性耦合效應(yīng)，而混合 NSGA - II 和 PSO算法可優(yōu)化翹曲。全參數(shù)優(yōu)化使30 °C時(shí)的翹曲降低了33.5%（138.5 μm），245 °C時(shí)降低了88.3%（28.6 μm），而僅對(duì)ring環(huán)進(jìn)行優(yōu)化時(shí)，30 °C時(shí)的翹曲改善更為顯著，降低了50.9%（102.2 μm），245 °C時(shí)降低了32.2%（166.4 μm）。所提出的方法為大規(guī)模 MCM封裝的翹曲控制提供了新的思路和有效的策略。

01-30

2026

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